以蝕刻(在藍(lán)寶石C面干式蝕刻/濕式蝕刻)的方式,在藍(lán)寶石基板上設(shè)計制作出微米級或納米級的具有微結(jié)構(gòu)特定規(guī)則的圖案,藉以控制LED之輸出光形式(藍(lán)寶石基板上的凹擊圖案會產(chǎn)生光散射或折射的效果增加光的取出率),同時GaN薄膜成長于圖案化藍(lán)寶石基板上會產(chǎn)生橫向磊晶的效果,減少生長在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷，改善磊晶質(zhì)量，并提升LED內(nèi)部量子效率、增加光萃取效率。

作為光復(fù)產(chǎn)業(yè)最大的設(shè)備提供商，GT Advanced Technologies公司正在開發(fā)一種新的技術(shù)，讓藍(lán)寶石的橫切面的厚度不人的頭發(fā)還要薄，這樣直接貼合在手機的液晶面板上。  同時GT公司還在過去幾年中，通過結(jié)晶硅太陽能電池供給切割機電量，由此進一步的降低藍(lán)寶石的制作成本。 
  三氧化二鋁在一個特定的熔爐中氧化，通過緩慢冷卻結(jié)晶行程藍(lán)寶石。而GT公司設(shè)計的熔爐可以使他們以更廉價的方式獲得更大的晶體，隨著技術(shù)的進步，產(chǎn)能也隨之提高，因此根本無需更換全新的設(shè)備。

廈門益唯特專業(yè)生產(chǎn)耐高溫玻璃/氧化鋁玻璃，藍(lán)寶石屬于六方晶系，耐高溫藍(lán)寶石基片因此晶向指數(shù)與晶面指數(shù)的標(biāo)定應(yīng)分別采用[uvtw]和（hlik）的表示方法。 
對于晶向指數(shù)，可以先以a1a2c三坐標(biāo)系確定出[UVW]，在通過公式 
U=u-t,V=v-t,W=w 
U=(2U-V)/3,v=(2V-U)/3,t=-(u+v),w=W 
換算出[uvtw]，以保證其唯一性。 
對于晶面指數(shù)，同樣也可以先以a1a2c三坐標(biāo)系確定出（hkl）再通過i=-（h+k）換算到（hkil）的晶面指數(shù)。

對于我們來說，廈門益唯特耐高溫玻璃的應(yīng)用主要研究的是藍(lán)寶石的晶面。常見的藍(lán)寶石密排六方晶胞中的晶面如圖3所示。在晶胞中，指數(shù)相同的晶面與晶向互相垂直。因此，對藍(lán)寶石來說，與a向垂直的晶面稱為a面，與c向垂直的面稱為c面，與m向垂直的面稱為m面，與r向垂直的面稱為r面。藍(lán)寶石晶胞各面的切面圖如圖4所示。

耐高溫藍(lán)寶石基片的參數(shù)與成長于一般藍(lán)寶石基板的LED相比,亮度增加了70%以上.目前臺灣生產(chǎn)圖案化藍(lán)寶石有中美矽晶、合晶、兆晶，兆達.藍(lán)寶石基板中2/4英寸是成熟產(chǎn)品,價格逐漸穩(wěn)定,而大尺寸(如6/8英寸)的普通藍(lán)寶石基板與2英寸圖案化藍(lán)寶石基板處于成長期,價格也較高,其生產(chǎn)商也是主推大尺寸與圖案化藍(lán)寶石基板,同時也積極增加產(chǎn)能.目前大陸還沒有廠家能生產(chǎn)出圖案化藍(lán)寶石基板.