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鍺(Ge)

鍺(Ge)

產品相關介紹
簡要介紹
用途:制作半導體器件,紅外光學器件,及太陽能電池沉底等材料。 
詳細參數

主要性能參數
生長方法 提拉法
晶體結構 立方
晶格常數 a=5.65754 ?       
密 度 5.323g/cm3
熔點 937.4℃
摻雜物質 不摻雜 摻Sb 摻Ga
類型 /
N
P
電阻率 >35Ωcm 0.01~10Ωcm 0.01~10Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
尺寸 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客戶要求劃片
厚度 0.5mm,1.0mm
拋光 單面或雙面
晶向 <100>、<110>、<111>、±0.5o
晶面定向精度: ±0.5°
邊緣定向精度: 2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片 可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra: ≤5?(5μm×5μm)
包裝 100級潔凈袋,1000級超凈室
 
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