主要性能參數(shù)
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生長方法
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水熱法
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晶體結(jié)構(gòu)
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六方
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晶格常數(shù)
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a=4.914? c=5.405 ?
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熔點(diǎn)(℃)
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1610℃(相轉(zhuǎn)變點(diǎn):573.1℃)
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密度
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2.684g/cm3
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硬度
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7(mohs)
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熱熔
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0.18cal/gm
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熱導(dǎo)率
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0.0033cal/cm℃
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熱電常數(shù)
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1200uv/℃(300℃)
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折射率
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1.544
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熱膨脹系數(shù)
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α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
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Q值
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1.8×106 min
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聲速、聲表級(jí)
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3160(m/sec)
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頻率常數(shù)
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1661(kHz/mm)
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壓電偶合
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K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
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晶向
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Y、X或Z切,在30o~42.75 o ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值
主定位邊:根據(jù)客戶要求定方向±30分
次定位邊:根據(jù)客戶要求定方向
籽 晶:位于中心,寬度<5mm,高度>66mm
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拋光面
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外延拋光:單拋或雙拋Ra<10?
工作區(qū)域:基片直徑-3mm
彎 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作區(qū)域無崩邊,在邊緣,崩邊寬度<0.5mm
坑和劃痕:每片<3,每100片<20
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標(biāo)準(zhǔn)厚度
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0.5mm±0.05mm TTV<5um
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標(biāo)準(zhǔn)直徑
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Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位邊:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位邊:10mm±1.5mm
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