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二氧化硅(SiO2)

二氧化硅(SiO2)

產(chǎn)品相關(guān)介紹
簡要介紹
SiO2單晶水晶片是一種極好的基片,用于無線通訊工業(yè)的微波濾波器。

詳細(xì)參數(shù)

主要性能參數(shù)
生長方法 水熱法
晶體結(jié)構(gòu) 六方
晶格常數(shù) a=4.914?    c=5.405 ?
熔點(diǎn)(℃) 1610℃(相轉(zhuǎn)變點(diǎn):573.1℃)
密度 2.684g/cm3
硬度 7(mohs)
熱熔 0.18cal/gm
熱導(dǎo)率 0.0033cal/cm℃
熱電常數(shù) 1200uv/℃(300℃)
折射率 1.544
熱膨脹系數(shù) α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
Q值 1.8×10min
聲速、聲表級(jí) 3160(m/sec)
頻率常數(shù) 1661(kHz/mm)
壓電偶合 K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向 Y、X或Z切,在30o~42.75 o ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值 
主定位邊:根據(jù)客戶要求定方向±30分 
次定位邊:根據(jù)客戶要求定方向 
籽 晶:位于中心,寬度<5mm,高度>66mm
拋光面 外延拋光:單拋或雙拋Ra<10?
工作區(qū)域:基片直徑-3mm 
彎 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作區(qū)域無崩邊,在邊緣,崩邊寬度<0.5mm
坑和劃痕:每片<3,每100片<20
標(biāo)準(zhǔn)厚度 0.5mm±0.05mm TTV<5um
標(biāo)準(zhǔn)直徑 Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 
主定位邊:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位邊:10mm±1.5mm
 
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