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氧化鎂(Mg0)

氧化鎂(Mg0)
產(chǎn)品相關(guān)介紹

氧化鎂（Mg0）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgF2單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2"及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。具有很大的現(xiàn)實(shí)及潛在應(yīng)用市場(chǎng)。


詳細(xì)參數(shù)

主要性能參數(shù)
生長(zhǎng)方法 弧熔法
晶體結(jié)構(gòu) 立方
晶格常數(shù) a=4.130 ? 
熔點(diǎn)（℃） 2800
純度 99.95%
密度（g/cm3） 3.58
硬度 5.5（mohs）
熱膨脹系數(shù)（/℃）
11.2x10-6
晶體解理面 <100>
光學(xué)透過(guò) >90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）
介電常數(shù) ε= 9.65
熱導(dǎo)率（卡／度 厘米 秒） 0.14  300°K
尺寸 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度 0.5mm，1.0mm
拋光 單面或雙面
晶向 <001>±0.5o
晶面定向精度: ±0.5°
邊緣定向精度: 2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)）
斜切晶片 可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra: ≤5?（5μm×5μm）
主要特點(diǎn)  由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。
主要用途 用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。
包裝 100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室
 
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